前回の記事で取り上げた、クロム系フォトマスクの形成方法に関する特許（特開2002-343769）の続きです。請求項と従来技術の部分を読んだので、残りの【課題を解決するための手段及び発明の実施形態】以降を読んでいきます。 ...

ここ2週間ほどは長めのブログ記事を書くことを目標にして3500～6000字くらいの記事を書いています。以前は2000～3000字程度だったのでだいぶ増えましたが書くスピードはまだあまり変わらず、かかる時間も増えてしまいま...

EUVリソグラフィ用の光学部材（フォトマスクやミラー）に用いるシリカガラスの材料と製法に関する特許明細書を読もうとして、背景となる知識を調べてからしばらくそのままになっていたので、昨日は最後まで読みました。 以前の記事で...

前回の続きで半導体ヘテロ接合材料に関する特許明細書の続きを調べました。 p型半導体層には局在バンド形成元素が含まれるという説明があったので、バンドとは何かを調べました。 伝導帯・価電子帯・バンドギャップ 前提として分子軌...

岡野の化学でイオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について学習したので、これらが関係する特許を調たところ、「半導体ヘテロ接合材料およびその製造方法」というタイトルの特許明細書で電子親和力と電気陰性度が要約部分に使われ...