結晶の充填率について
岡野の化学(99)で結晶の充填率について学習しました。まだ色々と調べ途中ですが少しだけ考えたことと調べたことをまとめます。 単位格子で考えると球体の体積を求める計算とそれぞれの原子のイオン半径を使って、その結晶の中に原子...
岡野の化学(99)で結晶の充填率について学習しました。まだ色々と調べ途中ですが少しだけ考えたことと調べたことをまとめます。 単位格子で考えると球体の体積を求める計算とそれぞれの原子のイオン半径を使って、その結晶の中に原子...
昨日は求人情報をチェックして求められているスキルの確認と、今後いつ何をやるかという計画をまとめるのに時間をかけました。 求人情報を見て求められているスキルを書き出し、マインドマップを作成しました。 先日講座のビデオで取り...
先日から答えが出ていなかった半導体ヘテロ接合材料と電子親和力の関係ですが、ようやく結びついてきました。 最初は電子親和力がイオン化、イオン結晶との関係で出てくるのかなと考えて調べていましたが、どうも違うようです。 そこで...
前回・前々回と、半導体ヘテロ接合材料に関する特許明細書を少し読んでいて、半導体の結晶成長というものを調べないといけないと思い、「半導体 結晶成長法 種類」と検索してみると以下のようなものが出てきました。 まだ一つ一つは全...
前回の続きで半導体ヘテロ接合材料に関する特許明細書の続きを調べました。 p型半導体層には局在バンド形成元素が含まれるという説明があったので、バンドとは何かを調べました。 伝導帯・価電子帯・バンドギャップ 前提として分子軌...
岡野の化学でイオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について学習したので、これらが関係する特許を調たところ、「半導体ヘテロ接合材料およびその製造方法」というタイトルの特許明細書で電子親和力と電気陰性度が要約部分に使われ...
昨日の記事で、遷移元素のイオン化エネルギーが横並びになっている理由について調べる中で遷移元素の性質に4s軌道と3d軌道の複雑な関係が影響しているようだということを書きました。 ただ、昨日の記事にまとめたところでは、Crと...
前回の投稿でるつぼは素材と特性によって使われる場面が異なるということを調べていましたが、なぜその素材がその特性をもつのか、ということを考えるのに結合のしくみがしっかりわかっていないと難しいと感じました。ちょうど岡野の化学...
昨日は真空蒸着の装置について少し調べました。膜形成方法のひとつである蒸着という方法は、成膜材料となる物質を加熱して気化したうえで、基材に吸着させることで膜を形成します。 わかりやすく説明してくれている企業サイトがあったの...
前々回は多層膜について記事を書きましたが、4546のビデオを見て、「なぜ多層膜を形成する必要があるのか?」「どんなところで多層膜が使われているのか?」という視点が欠けていたことに気づきました。今の段階ではどこまで調べるの...